TSM6502CR RLG
Производитель Номер продукта:

TSM6502CR RLG

Product Overview

Производитель:

Taiwan Semiconductor Corporation

Номер детали:

TSM6502CR RLG-DG

Описание:

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 24A (Tc), 18A (Tc) 40W Surface Mount 8-PDFN (5x6)

Инвентаризация:

5555 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12899139
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

TSM6502CR RLG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Мощность - Макс
40W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
8-PDFN (5x6)
Базовый номер продукта
TSM6502

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
TSM6502CR RLGTR-DG
TSM6502CRRLGCT
TSM6502CR RLGCT
TSM6502CR RLGCT-DG
TSM6502CR RLGDKR
TSM6502CRRLGTR
TSM6502CR RLGDKR-DG
TSM6502CRRLGDKR
TSM6502CR RLGTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMC3021LSD-13

MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO

diodes

DMHC3025LSD-13

MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

taiwan-semiconductor

TSM3911DCX6 RFG

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SOT26

diodes

DMT3006LDV-13

MOSFET 2N-CH 30V 25A POWERDI3333